全文获取类型
收费全文 | 30647篇 |
免费 | 3238篇 |
国内免费 | 1708篇 |
专业分类
化学 | 2960篇 |
晶体学 | 94篇 |
力学 | 5072篇 |
综合类 | 342篇 |
数学 | 20027篇 |
物理学 | 7098篇 |
出版年
2024年 | 31篇 |
2023年 | 291篇 |
2022年 | 309篇 |
2021年 | 506篇 |
2020年 | 818篇 |
2019年 | 813篇 |
2018年 | 794篇 |
2017年 | 860篇 |
2016年 | 890篇 |
2015年 | 763篇 |
2014年 | 1281篇 |
2013年 | 2861篇 |
2012年 | 1420篇 |
2011年 | 1757篇 |
2010年 | 1448篇 |
2009年 | 1936篇 |
2008年 | 1900篇 |
2007年 | 1967篇 |
2006年 | 1836篇 |
2005年 | 1525篇 |
2004年 | 1347篇 |
2003年 | 1324篇 |
2002年 | 1251篇 |
2001年 | 1008篇 |
2000年 | 969篇 |
1999年 | 822篇 |
1998年 | 711篇 |
1997年 | 677篇 |
1996年 | 478篇 |
1995年 | 393篇 |
1994年 | 356篇 |
1993年 | 270篇 |
1992年 | 251篇 |
1991年 | 189篇 |
1990年 | 183篇 |
1989年 | 112篇 |
1988年 | 100篇 |
1987年 | 99篇 |
1986年 | 85篇 |
1985年 | 119篇 |
1984年 | 142篇 |
1983年 | 67篇 |
1982年 | 104篇 |
1981年 | 100篇 |
1980年 | 92篇 |
1979年 | 82篇 |
1978年 | 73篇 |
1977年 | 54篇 |
1976年 | 53篇 |
1974年 | 16篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 43 毫秒
1.
2.
3.
采用自主设计搭建的雾化辅助化学气相沉积系统设备,开展了Ga2O3薄膜制备及其特性研究工作。通过X射线衍射研究了沉积温度、系统沉积压差对Ga2O3薄膜结晶质量的影响。结果表明,Ga2O3在425~650 ℃温度区间存在物相转换关系。随着沉积温度从425 ℃升高至650 ℃,薄膜结晶分别由非晶态、纯α-Ga2O3结晶状态向α-Ga2O3、β-Ga2O3两相混合结晶状态改变。通过原子力显微镜表征探究了生长温度对Ga2O3薄膜表面形貌的影响,从475 ℃升高至650 ℃时,薄膜表面粗糙度由26.8 nm下降至24.8 nm。同时,高分辨X射线衍射仪测试表明475 ℃、5 Pa压差条件下的α-Ga2O3薄膜样品半峰全宽仅为190.8″,为高度结晶态的单晶α-Ga2O3薄膜材料。 相似文献
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.